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炉火纯青 发表于 2008-6-5 07:42

镁光DDR2内存芯片编号解析

镁光DDR2内存芯片编号解析 X'l^6tOh5D Me
　如今，内存同质化现象已经越来越严重了，如何挑选出适合超频的内存，关键在于芯片的体质。虽然市面上的内存模组品牌之多，令人目不暇接，但是芯片却大多来自于Samsung（三星）、Hynix（海力士）、Qimonda（奇梦达）、Micron（镁光）、Elpida（尔必达）、PSC（力晶）、NANYA（南亚）等几个晶圆厂商。
)l*_A ySSU    　今天笔者为大家介绍一下Micron（镁光）芯片的编号规则，希望能对大家有所帮助。^0P9q(n%C

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镁光D9HNL芯片特写
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/o{Y3c}5HFPM3D%B 　　Micron DDR2内存颗粒主要分为早期的大D9（Fat D9）系列和现在的小D9系列。大D9采用的是110nm的工艺，芯片尺寸看起来偏胖。大D9芯片的独到之处并不在于它可以提升到很高的频率，更重要的是它在高频率下的超低延迟参数。随着Micron转换了生产工艺，大D9颗粒早已经停产，取代它的是小D9芯片，比起大D9制造成本更低，超频能力也是非常强悍。$ZL%`*^0GM
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镁光D9GMH芯片特写
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6K B2X*S0`1W eBu 　　Micron（镁光）小D9芯片系列中当属D9GKX、D9GMH和D9GCT最好超，继承了大D9的在高电压下的高频率以及低时序的传统特性。其中又以D9GKX和D9GMH比较出众，默认电压超频D9GKX小幅领先，但是D9GMH可以工作在2.6V甚至2.8V的电压下。-s}[yR1gRKL/t
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　　镁光DDR2内存芯片编号非常特别，封装上的编码并不是正规编号，而是一个特定编码，即使在官方网站上也不容易查到详细信息，因此查询起来非常费劲。以6ND22 D9GMH芯片为例，6ND22中的“6”代表06年生产，“N”代表一年中的奇数周（M则代表偶数周）。D9GMH是镁光早期DDR2-667芯片，当然由于镁光颗粒超频性能非常好，经常被模组厂拿来超频后当DDR2-800/ DDR2-1066卖。
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主流内存颗粒规格表
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　　镁光D9HNL也是DDR2-667型号，不过颗粒采用70nm工艺，适合做单条2GB规格，但超频性能不如D9GMH。镁光D9GKX是默认DDR2-800频率的型号，CL延迟参数为5-5-5。

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